Como Ter Ideias De V Deo

Melhor lição para iniciantes

Já que uma avaliação da velocidade de um pedaço da memória leva tempo de um ciclo do de registro (a leitura) de t C ZP, t C SCh na consideração. Outros parâmetros temporários são necessários para assegurar que o funcionamento de bessboyny de interrompe a estrutura. equipamentos.

onde: Ra - o poder consumido pela memória de acesso aleatório no modo de leitura, registro; Ro-moshchnost consome-se pela memória de acesso aleatório no modo de armazenamento; Sr. de quantidade de linhas na matriz de memória de acesso aleatório; Tts. Tempo de-um-minuto-minimalnoye de um ciclo da apelação ao módulo RAM; regenerações de Treg-período, o intervalo máximo definitivo de tempo entre dois endereços a cada endereço de recuperação da informação guardada.

O objetivo de um projeto de ano acadêmico é o desenvolvimento do bloco da capacidade de memória de acesso aleatório dinâmica 16kbayt para dispositivos de microprocessador de 8 dígitos e fixação dos COMPUTADORES do sistema recebido no decorrer de estudar de disciplina, complexos e redes do conhecimento da memória dinâmica.

Na batata frita da memória do tipo dinâmico do EP a função executa o condensador elétrico formado em MDP da estrutura. A informação apresenta-se na forma de carga: a existência de uma carga no condensador corresponde 1 lógico, ausência - logicamente Como o tempo de preservação se limita ao condensador de uma carga, forneça a recuperação periódica (a regeneração) da informação abaixo escrita. Além disso, a sincronização que fornece a sequência exigida de inclusões e apaga de nós funcionais é necessária para eles.

A transferência de informação via o multiplexador quando está em não estado escolhido proíbe-se (assim o caminho fora encontra-se em uma condição do nível baixo). Cada um de multiplexadores tem em quatro entradas de informação e as entradas strobiruyushchy de E.0 e E Duas entradas aresny de SED1 e SED2 fazem funcionar ao mesmo tempo dois multiplexadores.

A regeneração que se executa no algoritmo descrito chama-se" transparente": é imperceptível para o microprocessador e não reduz a velocidade do processamento de programas. Uma condição da aplicação deste caminho é a existência de intervalos de tempo entre duas qualquer apelação do microprocessador à memória de acesso aleatório, suficiente para executar um ciclo da regeneração, isto é regeneração no momento da apelação ao módulo RAM a um endereço.

Capacidade de informação de pedaço de K565RU3G 16kh1 bits. No seu diagrama de blocos (o apêndice entram na matriz de loja que contém 16.384 elementos da memória localizada em cruzamentos de 128 linhas e 128 colunas, 128 ampliadores de leitura e regeneração, decifradores de linhas e colunas, uma unidade de controle, o dispositivo da entrada-saída e o registro múltiplo do endereço realizado em um cristal de silício.

O pedaço de K565RU3G precisa de três provisões de poder e é necessário considerar exigências de uma ordem de inclusão e apagamento de provisões de poder: os primeiros incluem uma fonte – 5B e desconectam o último. Esta exigência causa-se por aquela tensão – 5B afasta um substrate (cristal) e se não o unir o esgotamento primeiro, termal pode acontecer a influência, até a curto prazo, a tensão de duas outras fontes à tensão 5 e 12V em um cristal. A ordem da inclusão de duas outras voltagens de provisão pode ser algum.

O processo de paradas de regeneração na apelação do microprocessador à memória de acesso aleatório e o controlador processam a exigência do microprocessador. No fim de um ciclo de endereço o controlador transfere o bloco de memória de acesso aleatório para o modo de regeneração, continuando este processo do endereço no qual se interrompeu.

onde: KM - o número de consideração de coeficiente de ARMAZENAMENTOS DE BIS de categorias (se número das categorias nM =1, KM=0, diferentemente KM =; coeficiente de KZ-the que considera o tipo de ARMAZENAMENTO (para ROM KZ=5, e para KZ RAM =; capacidade de informação eletrônica o BIS DE ARMAZENAMENTO (em bits).

O ARMAZENAMENTO, a característica de DBIS produzido na MDP-tecnologia são a alta entrada ohmic resistência. Determinando o número Q de DBIS do ARMAZENAMENTO carregado no TTL-esquema a capacidade de entradas de um pedaço da memória considera-se geralmente.